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MMBT2222AL數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

MMBT2222AL

參數(shù)屬性

MMBT2222AL 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 600MA SOT23-3

功能描述

NPN 雙極晶體管
TRANS NPN 40V 600MA SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 17:44:00

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MMBT2222AL規(guī)格書詳情

描述 Description

The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

? Pb-Free Packages are Available
? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

簡介

MMBT2222AL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的MMBT2222AL晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :MMBT2222AL

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :40

  • VCBO (V)

    :75

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :300

  • fT Min (MHz)

    :300

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
DIODES/美臺(tái)
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