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MMBT123S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT123S
廠商型號

MMBT123S

參數(shù)屬性

MMBT123S 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

功能描述

1A NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

114.68 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

DIODES

中文名稱

美臺半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 16:52:00

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MMBT123S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Epitaxial Planar Die Construction

? Ideal for Medium Power Amplification and Switching

? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant

Green Device (Notes 2 and 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT123S-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 30mA,300mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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