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MMBR911LT1G中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MMBR911LT1G
廠商型號

MMBR911LT1G

功能描述

NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

148.4 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-15 22:59:00

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MMBR911LT1G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

Designed for low noise, wide dynamic range front–end amplifiers and low–noise VCO’s. Available in a surface–mountable plastic package. This small–signal plastic transistor offers superior quality and performance at low cost.

FEATURES:

· High Gain–Bandwidth Product

fT = 7.0 GHz (Typ) @ 30 mA

· Low Noise Figure

NF = 1.7 dB (Typ) @ 500 MHz

· High Gain

GNF = 17 dB (Typ) @ 10 mA/500 MHz

· State–of–the–Art Technology

Fine Line Geometry

Ion–Implanted Arsenic Emitters

Gold Top Metallization and Wires

Silicon Nitride Passivation

· Available in tape and reel packaging options:

T1 suffix = 3,000 units per reel

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MMBR911LT1G

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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