MMBFJ113數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
MMBFJ113 |
| 參數(shù)屬性 | MMBFJ113 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 35V 350MW SOT23 |
| 功能描述 | N 溝道開關(guān) |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-20 8:48:00 |
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MMBFJ113規(guī)格書詳情
描述 Description
N溝道開關(guān) 該器件設(shè)計(jì)用于低電平模擬開關(guān)、采樣保持電路以及斬波器穩(wěn)定放大器。 采用工藝51設(shè)計(jì)。
應(yīng)用 Application
? This product is general usage and suitable for many different applications.
簡介
MMBFJ113屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由制造生產(chǎn)的MMBFJ113晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：MMBFJ113
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- IDSS Min (μA)
：2000
- IDSS Max (μA)
：-
- V(BR)GSS Min (V)
：35
- Ciss Max (pF)
：-
- Crss Max (pF)
：-
- Package Type
：SOT-23-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAX |
24+ |
SOP8 |
8000 |
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24+ |
SOT-23 |
18000 |
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25900 |
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ON |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
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ONSEMI/安森美 |
SOT23 |
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23+ |
SOT-23 |
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ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
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詢價(jià) |
