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MMBF4391LT1G數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF

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廠商型號

MMBF4391LT1G

參數(shù)屬性

MMBF4391LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

功能描述

MOS(場效應管)
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-20 16:50:00

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MMBF4391LT1G規(guī)格書詳情

簡介

MMBF4391LT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由制造生產(chǎn)的MMBF4391LT1G晶體管 - JFET結柵場效應晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當極性的電勢差就會增加電流流動的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :MMBF4391LT1G

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • 柵源極閾值電壓(最大值)

    :50mA @ 15V

  • 類型

    :N 溝道

  • 功率耗散(最大值)

    :225mW

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
SOT-23
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SOT-23
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SOT-23
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