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MMBD354LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBD354LT1G
廠商型號(hào)

MMBD354LT1G

參數(shù)屬性

MMBD354LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

功能描述

Dual Hot Carrier Mixer Diodes
DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

127.59 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 14:43:00

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MMBD354LT1G規(guī)格書詳情

MMBD354LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBD354LT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導(dǎo)體器件,只允許一個(gè)方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進(jìn)行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標(biāo)準(zhǔn)型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra?fast switching circuits.

特性 Features

?Very Low Capacitance ?Less Than 1.0 pF @ Zero V

?Low Forward Voltage ?0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA

?Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBD354LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 二極管類型:

    肖特基 - 1 對共陰極

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    7V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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