描述 Description

ML51BB9AE 為內(nèi)建 Flash 的增強(qiáng)型 1T 8051 內(nèi)核微控制器，正常運(yùn)行模式典型功耗可達(dá) 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可達(dá) 24 MHz，并內(nèi)建 38.4 kHz 低速內(nèi)部振蕩器，支持寬電壓工作范圍 1.8 V 至 5.5 V 工作溫度： - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51BB9AE 包含 16 K 字節(jié)的 Flash 以及一個(gè)額外 1 K 字節(jié)片上輔助 RAM(XRAM), 備有豐富的外設(shè)，如 7 個(gè)通用 I/O、2 組串口、1 組 ISO-7816 界面、2 組 I2C 與 1 組 SPI，并提供 MSOP10 封裝。

特性 Features

?CPU?-全靜態(tài) 8 位 1T 8051 內(nèi)核 CMOS 微控制器?-指令集全兼容 MCS-51?-4 級(jí)優(yōu)先級(jí)中斷配置?-雙數(shù)據(jù)指針 (DPTRs)????工作條件?-寬電壓工作范圍 1.8 V 至 5.5 V?-寬工作頻率最高至 24 MHz?-工業(yè)級(jí)工作溫度 - 40 ℃至 + 105 ℃???低功耗特性?-正常運(yùn)行模式典型功耗 80 uA/ MHz?-低功耗運(yùn)行模式典型功耗 15 uA?-低功耗空閑模式功耗不超過 13 uA?-掉電模式典型功耗小于 1 uA?-掉電模式下喚醒時(shí)間為 10 us (HIRC運(yùn)行)????內(nèi)存?-16 K 字節(jié) APROM， 用于使用者代碼?-可配置 4K/3K/2K/1K 字節(jié) LDROM， 用于啟動(dòng)系統(tǒng)程序設(shè)計(jì)（ISP）代碼?-APROM中應(yīng)用編程（IAP）內(nèi)存 128 字節(jié)每頁(yè)累加?-Flash 內(nèi)存 100,000 次擦寫壽命?-代碼安全加密?-256 字節(jié)片上 RAM?-額外 1 K字節(jié)片上輔助 RAM (XRAM) ，通過 MOVX 指令訪問???時(shí)鐘源?-24 MHz 高速內(nèi)部振蕩器 (HIRC) ± 1 %精度等級(jí) (25 °C, 3.3 V) 全工作條件范圍下精度 ±5 % 精度等級(jí)?-38.4 kHz低速內(nèi)部振蕩器 (LIRC) ± 1 %精度等級(jí) (25 °C, 3.3 V) ， 全工作條件范圍下精度 ± 10 % 精度等級(jí)?-外置 4 ～ 24 MHz (HXT)晶振輸入為精密定時(shí)操作?-外置 32.768 kHz (LXT)晶振輸入?-運(yùn)行中可通過軟件對(duì)時(shí)鐘源切?-可編程系統(tǒng)時(shí)鐘分頻器從1/2, 1/4, 1/6, 1/8…, 最高到 1/512???????外設(shè)?-7 個(gè)通用輸入輸出引腳。所有輸出引腳具有獨(dú)立的2級(jí)電平轉(zhuǎn)換速率控制?-8 通道 GPIO 中斷，具備邊緣/電平檢測(cè)，全部 7 個(gè) GPIO 均可配置為輸入源之一?-標(biāo)準(zhǔn)中斷引腳 INT0 和 INT1 兼容標(biāo)準(zhǔn) 8051?-兩組 16 位定時(shí)/計(jì)數(shù)器 0 和 1 兼容標(biāo)準(zhǔn) 8051?-一組 16 位定時(shí)器 2 帶 3 通道輸入捕獲模塊?-一組16位自動(dòng)重載定時(shí)器 3?-一組可程序設(shè)計(jì)看門狗定時(shí)器 (WDT)?-一組專用的自喚醒定時(shí)器 (WKT)?-兩組全雙工串口?-一組智能卡接口支持 ISO7816-3?-一組SPI端口支持主機(jī)和從機(jī)模式，當(dāng)系統(tǒng)時(shí)鐘為 24 MHz 時(shí)傳輸速率高達(dá) 6 Mbps?-兩組 I2C 總線支持主機(jī)和從機(jī)模式，數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 400 kpbs?-6 * 16 - bit 組，12 通道脈寬調(diào)制器（PWM）輸出，高達(dá) 16 位分辨率?-一組 12 位 ADC，當(dāng) VDD 大于 2.5 V 轉(zhuǎn)換速率高達(dá) 500 Ksps????電源監(jiān)視器?-欠壓檢測(cè) (BOD) 可用于低功耗模式，7 個(gè)級(jí)別可選，可配置中斷或復(fù)位?-上電復(fù)位 (POR)?-低電壓復(fù)位 (LVR)????強(qiáng)效ESD及EFT能力?-ESD HBM 通過 8 kV?-EFT > ± 4.4 kV?-閂鎖測(cè)試通過 150 mA????開發(fā)工具?-Nuvoton Nu-Link 基于 KEILTM 和 IAR 開發(fā)環(huán)境?-Nuvoton 電路編程 (Nu-Link)?-Nuvoton 在系統(tǒng)編程 (ISP) 通過 UART

應(yīng)用 Application

穿戴式裝置、智能搖控器、互聯(lián)網(wǎng)端點(diǎn)設(shè)備、智能家居、煙感偵測(cè)裝置、電池裝置等。