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MKI100-12F8分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MKI100-12F8 |
參數(shù)屬性 | MKI100-12F8 封裝/外殼為E3;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3 |
功能描述 | Short Circuit SOA Capability Square RBSOA |
封裝外殼 | E3 |
文件大小 |
92.4 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-3 19:00:00 |
人工找貨 | MKI100-12F8價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MKI100-12F8規(guī)格書(shū)詳情
MKI100-12F8屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MKI100-12F8晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
MKI100-12F8
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤(pán)
- IGBT 類型:
NPT
- 配置:
全橋反相器
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,100A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無(wú)
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
E3
- 供應(yīng)商器件封裝:
E3
- 描述:
IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
Module |
1262 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨,代理渠道,支持訂貨!!! |
詢價(jià) | ||
24+ |
106 |
本站現(xiàn)庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||||
ST |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2022+ |
E3 |
38550 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2023+ |
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ST |
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ST/意法 |
24+ |
SOP-8 |
35886 |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
SOP8 |
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IXYS |
19+/20+ |
E3 |
1000 |
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