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P3506DT

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

P3506ED

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ED

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ES

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ES

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-41A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ET

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P3506ETF

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P3506ETF

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PB3506

EnhancedPowerBridgeRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MKBPC3506W

  • 制造商：

    HY

  • 制造商全稱：

    HY ELECTRONIC CORP.

  • 功能描述：

    SILICON BRIDGE RECTIFIERS

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HYGROUP臺產
24+
MKBPC
50000
詢價
NK/南科功率
2025+
SOT-523
986966
國產
 詢價
P-DUKE
12+
SIP/DIP
650
穩(wěn)壓隔離模塊專家供應商/絕對全新原廠現(xiàn)貨
 詢價
P-DUKE
2021+
60000
原裝現(xiàn)貨，歡迎詢價
 詢價
P-DUKE
24+
DIP24/SMD24
5000
全新原裝,一手貨源,全場熱賣!
 詢價
P-DUKE
23+
DIP
13000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
Astrodyne
23+
MODEL
666
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
金升陽
900
詢價
P-DUKE
2021+
DIP
11000
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
更多MKBPC3506W供應商 更新時間2025-7-23 15:30:00

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