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MJW21193分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJW21193
廠商型號

MJW21193

參數(shù)屬性

MJW21193 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 250V 16A TO247-3

功能描述

Silicon Power Transistors
TRANS PNP 250V 16A TO247-3

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

75.49 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 18:48:00

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MJW21193規(guī)格書詳情

MJW21193屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJW21193晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W

MJW21193 (PNP)

MJW21194 (NPN)

The MJW21193 and MJW21194 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

?Total Harmonic Distortion Characterized

?High DC Current Gain ?hFE= 20 Min @ IC= 8 Adc

?Excellent Gain Linearity

?High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJW21193

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 3.2A,16A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 8A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS PNP 250V 16A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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