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MJL16218中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MJL16218
廠商型號(hào)

MJL16218

功能描述

POWER TRANSISTOR

文件大小

157.1 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-31 14:19:00

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MJL16218規(guī)格書詳情

SCANSWITCH? NPN Bipolar Power Deflection Transistor For High and Very High Resolution Monitors

The MJL16218 is a state–of–the–art SWITCHMODE? bipolar power transistor. It is specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high resolution, full page, monochrome monitors.

? 1500 Volt Collector–Emitter Breakdown Capability

? Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)

? Application Specific State–of–the–Art Die Design

? Fast Switching: 175 ns Inductive Fall Time (Typ) 2000 ns Inductive Storage Time (Typ)

? Low Saturation Voltage: 0.2 Volts at 5.0 Amps Collector Current and 2.0 A Base Drive

? Low Collector–Emitter Leakage Current — 250 μA Max at 1500 Volts — VCES

? High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive Circuits — 8.0 Volts (Min)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
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18000
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3000
原裝正品,支持實(shí)單
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