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MJE3055T分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE3055T
廠商型號

MJE3055T

參數屬性

MJE3055T 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS NPN 60V 10A TO220

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

65.19 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
STMICROELECTRONICS
數據手冊

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更新時間

2025-8-3 18:30:00

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MJE3055T規(guī)格書詳情

MJE3055T屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產的MJE3055T晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

DESCRIPTION

The MJE3055T is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec TO-220 package. It is intended for power switching circuits and general-purpose amplifiers. The complementary PNP type is MJE2955T.

■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES

■ COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJE3055T

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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