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MJE13003B	文件：211.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Capableof1.0WattsofPowerDissipation. ?Collector-current1.5A ?Collector-baseVoltage700V ?Operatingandstorage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003B	文件：183.92 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Fast-switching NPN Power Transistor DESCRIPTION: ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. TheMJE13003Bis	WEITRON Weitron Technology
MJE13003B	文件：82.87 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHING REGULATOR APPLICATION. SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. HIGHVOLTAGEANDHIGHSPEED SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?ExcellentSwitchingTimes :ton=0.5μS(Max.),tf=0.7μS(Max.),atIC=1A ?HighCollectorVoltage:VCBO=700V.	FS First Silicon Co., Ltd
MJE13003B	文件：264.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003B	文件：212.15 Kbytes Page：4 Pages	NPN MJE SERIES TRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003B	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率雙極型晶體管	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003B_13	文件：264.91 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003BR	文件：391.41 Kbytes Page：4 Pages	NPN MJE SERIES TRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003BR	文件：391.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN MJE SERIES TRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深愛半導(dǎo)體深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司
MJE13003BR（TO-126&126S&251T&251S）	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率雙極晶體管	SIXiamen SigmaStar Technology Co., Ltd. 星宸科技星宸科技股份有限公司	SI

技術(shù)參數(shù)

Product Polarity：
?NPN
SMD/ThroHole：
?Through Hole
VCEO (V)：
?400
VCBO (V)：
?700
VEBO (V)：
?9.0
IC (A)：
?1.5
PC (W)：
?1.0
HFE：
?20-40
@IC (mA)：
?400
@VCE (V)：
?10
ICBO：
?1000 μA
IEBO：
?100 μA
VCE(sat) (V)：
?0.8
VBE(sat) (V)：
?1.0
FT (MHz)：
?5
Package Qty：
?Bulk
FIT：
?48; Tj=100℃

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