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MJD45H11分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD45H11
廠商型號

MJD45H11

參數屬性

MJD45H11 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 80V 8A IPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS
TRANS PNP 80V 8A IPAK

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

192.88 Kbytes

頁面數量

6

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-16 11:59:00

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MJD45H11規(guī)格書詳情

MJD45H11屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJD45H11晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Features

? Pb?Free Packages are Available

? Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves

(No Suffix)

? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“?1” Suffix)

? Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount

(“T4” Suffix)

? Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series

? Low Collector Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes

? Fast Switching Speeds

? Complementary Pairs Simplifies Designs

? Epoxy Meets UL 94, V?0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJD45H11-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    90MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 8A IPAK

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