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MJD44H11RLG

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD44H11RLG

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationin

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ComplementaryPowerTransistors

Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationinPlasticSleeves (NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“

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SiliconNPNPowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MJF44H11

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

MJF44H11

iscSiliconNPNPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJF44H11

ComplementaryPowerTransistors

ComplementaryPowerTransistors ForIsolatedPackageApplications Complementarypowertransistorsareforgeneralpurposepoweramplificationandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,convertersandpoweramplifiers. Features ?LowCollector?Em

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD44H11AJ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 2A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    160MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 80V 8A DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MJD44H11AJ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-13 8:38:00

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