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MJD44E3T4G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD44E3T4G
廠商型號

MJD44E3T4G

參數(shù)屬性

MJD44E3T4G 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK

功能描述

Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

50.87 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-4 23:01:00

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MJD44E3T4G規(guī)格書詳情

MJD44E3T4G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJD44E3T4G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Darlington Power Transistor

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

特性 Features

? Electrically Similar to Popular D44E3 Device

? High DC Gain ? 1000 Min @ 5.0 Adc

? Low Sat. Voltage ? 1.5 V @ 5.0 Adc

? Compatible With Existing Automatic Pick and Place Equipment

? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V

Machine Model, C 400 V

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJD44E3T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 20mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK

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