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MJD41C-252中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
MJD41C-252 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 文件大小 |
278.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ISC |
| 中文名稱 | 無錫固電 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-10 15:31:00 |
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MJD41C-252規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.5V(Max) @IC= 6A
·Complement to Type MJD42C
APPLICATIONS
· Designed for low power audio amplifier and low-current,
high-speed switching applications
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-252 |
8560 |
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詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
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6000 |
進(jìn)口原裝正品假一賠十,貨期7-10天 |
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ONS |
08+ |
DPAK |
20000 |
普通 |
詢價(jià) | ||
長電 |
25+ |
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ON/安森美 |
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