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MJD340T數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

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廠商型號

MJD340T

參數(shù)屬性

MJD340T 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PWR NPN 0.5A 300V DPAK

功能描述

0.5 A, 300 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
TRANS PWR NPN 0.5A 300V DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-5 22:58:00

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MJD340T規(guī)格書詳情

描述 Description

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for line operated audio output amplifier, switchmode power supply drivers and other switching applications.

特性 Features

? VCEO(sus) =300 V (Min)
? 0.5 A Rated Collector Current
? Pb-Free and are RoHS Compliant

簡介

MJD340T屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的MJD340T晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

技術參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :MJD340T

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    :?Active??

  • Description

    :?0.5 A

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :?

  • IC Cont. (A)

    :0.5

  • VCEO Min (V)

    :300

  • CBO\ style=\cursor:help\>VCBO (V)

    :300

  • EBO\ style=\cursor:help\>VEBO (V)

    :3

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(sat) (V)

    :?

  • BE\ style=\cursor:help\>VBE(on) (V)

    :?

  • hFE Min

    :30Condition:?VCE = 10 V

  • hFE Max

    :240Condition:?VCE = 10 V

  • fT Min (MHz)

    :?

  • PTM Max (W)

    :15

  • Package Type

    :DPAK-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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