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首頁>MJD32C-13>規(guī)格書詳情

MJD32C-13分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD32C-13
廠商型號

MJD32C-13

參數(shù)屬性

MJD32C-13 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3

功能描述

100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

絲印標(biāo)識

MJD32C

封裝外殼

TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

373.13 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES美臺半導(dǎo)體

中文名稱

美臺半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-19 13:01:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD32C-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252-3

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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