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MJD243T4中文資料NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS數(shù)據(jù)手冊分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書

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廠商型號

MJD243T4

參數(shù)屬性

MJD243T4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-8 11:40:00

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MJD243T4規(guī)格書詳情

描述 Description

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
? High DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 200 mAdc????
?????????????????????????????????????????????????? = 15 (Min) @ IC = 1.0 Adc
? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
? Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
? Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????? = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc
? High Current–Gain — Bandwidth Product — fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
? Annular Construction for Low Leakage — ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

技術參數(shù)

  • 產品編號:

    MJD243T4

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 50mA,500mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    40MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
TSSOP
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原裝進口只做訂貨 尋找優(yōu)勢渠道合作
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