MJD127分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJD127 |
參數(shù)屬性 | MJD127 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK |
功能描述 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
246.8 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ISC |
中文名稱 | 無錫固電 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-7 10:21:00 |
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MJD127規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Low Collector-Emitter saturation voltage
? Lead formed for surface mount applications
? High DC current gain
? 100 tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
? Designed for general purpose amplifier and low speed
switching applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MJD127RLG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
4V @ 80mA,8A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 頻率 - 躍遷:
4MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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