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MJD127分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD127
廠商型號

MJD127

參數(shù)屬性

MJD127 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

246.8 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 10:21:00

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MJD127規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector-Emitter saturation voltage

? Lead formed for surface mount applications

? High DC current gain

? 100 tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for general purpose amplifier and low speed

switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD127RLG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 80mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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