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MJD112-001分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD112-001
廠商型號

MJD112-001

參數(shù)屬性

MJD112-001 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

Complementary Darlington Power Transistors
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

147.74 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-7-24 18:17:00

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MJD112-001規(guī)格書詳情

MJD112-001屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJD112-001晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Complementary Darlington Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

Features

? Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

? Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“?1” Suffix)

? Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

? Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJD112-001

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
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