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MJB45H11G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJB45H11G
廠商型號

MJB45H11G

參數(shù)屬性

MJB45H11G 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 80V 10A D2PAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

295.93 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-11 9:18:00

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MJB45H11G規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Low Collector-Emitter saturation voltage

·Pb-free package are available

·Fast switching speed

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·General purpose amplification and switching such as

out or driver stages in applications such as switching

regulators,converters and power amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJB45H11G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 400mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 4A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    40MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 10A D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
1983
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