MJB45H11數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
MJB45H11 |
| 參數(shù)屬性 | MJB45H11 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 80V 10A D2PAK |
| 功能描述 | 雙極晶體管，PNP，80 V，10 A |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-7 10:46:00 |
| 人工找貨 | MJB45H11價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多MJB45H11規(guī)格書詳情
描述 Description
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
特性 Features
? Low Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
? Fast Switching Speeds
? Complementary Pairs Simplifies Designs
? NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
? PbFree Packages are Available
簡(jiǎn)介
MJB45H11屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由制造生產(chǎn)的MJB45H11晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：MJB45H11
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1
- IC Cont. (A)
：10
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：-
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：1.5
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：60
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：50
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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