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MJ11012分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ11012
廠商型號

MJ11012

參數(shù)屬性

MJ11012 封裝/外殼為TO-204AA,TO-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 60V 30A TO204

功能描述

30 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60.120 VOLTS 200 WATTS

封裝外殼

TO-204AA,TO-3

文件大小

157.15 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-24 15:01:00

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MJ11012規(guī)格書詳情

High-Current Complementary Silicon Transistors

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

? High DC Current Gain - hFE= 1000 (Min) @ IC ?20 Adc

? Monolithic Construction with Built?in Base Emitter Shunt Resistor

? Junction Temperature to +200C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJ11012G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    4V @ 300mA,30A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 20A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    4MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 30A TO204

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
2447
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