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MIEB101H1200EH數(shù)據(jù)手冊分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF

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廠商型號

MIEB101H1200EH

參數(shù)屬性

MIEB101H1200EH 封裝/外殼為E3;包裝為托盤;類別為分立半導體產品的晶體管-IGBT-模塊;產品描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3

功能描述

Full Bridge IGBT Modules

封裝外殼

E3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名稱

力特 力特公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-16 14:01:00

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MIEB101H1200EH規(guī)格書詳情

特性 Features

·Vces: 600V and 1200V. Ic(25): 45A - 165A
·NPT or NPT3 IGBT with low Vce(sat), low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness
·short tail current for optimized performance in resonant circuits
·Hiperfast diodes with soft recovery
·Package with insulated copper base plate (2500V rms) and pins for PCB mounting

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :MIEB101H1200EH

  • 生產廠家

    :Littelfuse

  • Package Style

    :E3-Pack

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83273508鄒小姐
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原廠授權一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質保
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