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MURH10010R	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURT10010R	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010R	文件：413.25 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
OH10010	文件：45.76 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHallDevice ■Features ?Hallvoltage:typ.105mV(VC=6V,B=0.1T) ?Inputresistance:typ.0.75k? ?SatisfactorylinearityofGaAshallvoltagewithrespecttothemagneticfield ?Smalltemperaturecoefficientofthehallvoltage:β≤?0.06/°C ?Minitype(4-pin)packagewithpositioningprojec	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
PBA10010	文件：302.16 Kbytes Page：2 Pages	MAGNETICPROXIMITYSENSOR	CELDUCcelduc Relais 凡紀繼電器凡紀繼電器（上海）有限公司	CELDUC
PMEG10010ELR	文件：241.12 Kbytes Page：15 Pages	100V,1AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PMEG10010ELR-Q	文件：265.22 Kbytes Page：14 Pages	100V,1AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A ?Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA

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深圳市亞泰盈科電子有限公司	MICRORB-SMTPA-10035-GEVB	ONSEMI	2025+		55740		詢價
深圳良洲科技有限公司	MICRORD-10020-MLP-TR-E	ONSEMI	兩年內(nèi)	N/A	6	原裝現(xiàn)貨,實單價格可談	詢價
北京光敏源科技有限公司	MICRORD-10035-MLP-TR-E	ONSEMI	2020+		3000	只做原裝，可提供樣品	詢價
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更多MICRORB-SMTPA-10010-GEVB供應(yīng)商更新時間2025-7-19 14:17:00

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