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MUR10020CT

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MUR10020CT

SuperFastRecoveryDiode,100A

Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR10020CT

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10020CT

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10020CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10020CTR

SuperFastRecoveryDiode,100A

Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR10020CTR

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MUR10020CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF10020

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF10020R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MICRORB-10020-MLP-TR

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    傳感器,變送器 > 光學(xué)傳感器 - 光電二極管

  • 系列:

    RB-SERIES SIPM

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 波長(zhǎng):

    905nm

  • 顏色 - 增強(qiáng):

    紅外(NIR)/紅

  • 頻譜范圍:

    300nm ~ 1050nm

  • 二極管類型:

    引腳

  • 不同 nm 時(shí)響應(yīng)度:

    270 kA/W @ 905nm

  • 響應(yīng)時(shí)間:

    1ns

  • 電流 - 暗(典型值):

    540nA

  • 有效面積:

    1mm2

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,無引線

  • 描述:

    SENSOR PHOTODIODE 905NM 4SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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更多MICRORB-10020-MLP-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 16:12:00