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MUR10010CT

SuperFastRecoveryDiode,100A

Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR10010CT

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MUR10010CT

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10010CT

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10010CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10010CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto200VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR10010CTR

SuperFastRecoveryDiode,100A

Features ?DualDiodeConstruction ?LowLeakageCurrent ?Lowforwardvoltagedrop ?Highsurgecurrentcapability ?SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR10010CTR

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MURF10010

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF10010R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MICRORB-10010-MLP-TR

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 光學傳感器 - 光電二極管

  • 系列：

    RB

  • 包裝：

    帶

  • 波長：

    905nm

  • 顏色 - 增強：

    紅外（NIR）/紅

  • 頻譜范圍：

    300nm ~ 1050nm

  • 二極管類型：

    引腳

  • 不同 nm 時響應度：

    52 kA/W @ 905nm

  • 響應時間：

    1.5ns

  • 電流 - 暗（典型值）：

    520nA

  • 有效面積：

    1mm2

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-WDFN

  • 描述：

    IC SENSOR SIPM 1MM 10U 4CWDFN

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
24+
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進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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onsemi(安森美)
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更多MICRORB-10010-MLP-TR供應商 更新時間2025-7-21 14:16:00

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