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MGFX39V0717中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGFX39V0717
廠商型號

MGFX39V0717

功能描述

10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

文件大小

92.97 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

MITSUBISHI

中文名稱

三菱電機(jī)

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-17 23:01:00

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MGFX39V0717規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFX39V0717 is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 10.7 ~ 11.7 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

● Internally impedance matched

● High output power

P1dB = 8 W (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

● High linear power gain

GLP = 7.0 dB (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

● High power added efficiency

ηadd = 26 (TYP.) @ f = 10.7 ~ 11.7GHz

APPLICATION

For use in 10.7 ~ 11.7 GHz band power amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGFX39V0717

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    10.7 - 11.7GHz BAND 8W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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24+
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