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MGFC41V3642中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGFC41V3642
廠商型號

MGFC41V3642

功能描述

3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET?

文件大小

94.47 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

MITSUBISHI三菱電機(jī)

中文名稱

三菱電機(jī)株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
MITSUBISHI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-1 17:45:00

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MGFC41V3642規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFC41V3642 is an internally impedence matched GaAs power FET especially designed for use in 3.6 - 4.2 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high raliability.

FEATURES

Internally matched to 50ohm system

High output power

P1dB = 14W (TIP.) @ f=3.6 - 4.2 Hz

High power gain

GLP = 12.5 dB (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz

High power added efficiency

Eadd = 40 (TYP.) @ f=3.6 - 4.2 GHz

Low Distortion[Item-51]

IM3=-45 dBc(TYP.)@Po=30dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 3.6 - 4.2 GHz band power amplifier

item 51 : 3.6 - 4.2 GHz band digital radio communication

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGFC41V3642

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    3.6 - 4.2GHz BAND 12W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MITSUBISH
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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