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MGFC36V7785A_04中文資料三菱電機數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGFC36V7785A_04
廠商型號

MGFC36V7785A_04

功能描述

7.7 ~ 8.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

文件大小

184.37 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Mitsubishi Electric Semiconductor
企業(yè)簡稱

MITSUBISHI三菱電機

中文名稱

三菱電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
MITSUBISHI
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-1 20:07:00

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MGFC36V7785A_04規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGFC36V7785A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 7.7 ~ 8.5 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metalceramic package guarantees high reliability.

FEATURES

Class A operation

Internally matched to 50(ohm) system

High output power

P1dB = 4W (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

High power gain

GLP = 8 dB (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

High power added efficiency

P.A.E. = 29 (TYP.) @ f=7.7~8.5GHz

Low distortion [ item -51 ]

IM3= -45 dBc(TYP.) @Po=25dBm S.C.L.

APPLICATION

item 01 : 7.7~8.5 GHz band power amplifier

item 51 : 7.7~8.5 GHz band digital radio communication

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MGFC36V7785A_04

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    7.7 ~ 8.5GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MITSUBISHI
08+
SMD
4
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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24+
125
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MITSUBISHI
23+
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