MGF4953B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
MGF4953B |
功能描述 | SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package |
文件大小 |
119.6 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | MITSUBISHI |
中文名稱 | 三菱電機(jī) |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-24 17:41:00 |
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MGF4953B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers.
The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.
FEATURES
Low noise figure @ f=20GHz
NFmin. = 0.55dB (Typ.)
High associated gain @ f=20GHz
Gs = 10.5dB (Typ.)
APPLICATION
C to K band low noise amplifiers
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MGF4953B
- 制造商:
MITSUBISHI
- 制造商全稱:
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述:
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
03+ |
QFN4 |
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MITSUBIS |
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MITSUBISH |
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MITSUBI |
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MITSUBISHI |
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