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MGF4953B中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MGF4953B
廠商型號(hào)

MGF4953B

功能描述

SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

文件大小

119.6 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

MITSUBISHI

中文名稱

三菱電機(jī)

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-24 17:41:00

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MGF4953B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers.

The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.

FEATURES

Low noise figure @ f=20GHz

NFmin. = 0.55dB (Typ.)

High associated gain @ f=20GHz

Gs = 10.5dB (Typ.)

APPLICATION

C to K band low noise amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MGF4953B

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全稱:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MITSUBISHI
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