MGF4714CP中文資料三菱電機(jī)數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MGF4714CP |
| 功能描述 | PLASTIC MOLD PACKAGED LOW NOISE InGaAs HEMT |
| 文件大小 |
17.75 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
MITSUBISHI【三菱電機(jī)】 |
| 中文名稱 | 三菱電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-30 23:00:00 |
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DESCRIPTION
The MGF4714CP low-noise HEMT(High Electron Mobility Transistor) is designed for use in L to Ku band amplifiers.
The plastic mold package offer high cost performance, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
The MGF4714CP is mounted in Super 12 tape.
FEATURES
? Low noise figure
NFmin.=1.00dB(MAX.) @f=12GHz
? High associated gain
Gs=11.0dB(MIN.) @f=12GHz
APPLICATION
L to Ku band low noise amplifiers.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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