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MGB15N35CLT4數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

MGB15N35CLT4

功能描述

Internally Clamped N-Channel IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 22:58:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MGB15N35CLT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 15A 350V Ignition

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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