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MEM2306SG

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟電子有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

MEM2306SG

MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟電子有限公司

MSN2306

30V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

MORESEMI

MT2306

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

NTE2306

SiliconComplementaryTransistorsHighVoltagePowerAmplifier

Description: TheNTE2305(NPN)andNTE2306(PNP)aresiliconcomplementarytransistorsinaTO218typepackagedesignedforuseinhighpoweraudioamplifierapplicationsandhighvoltageswitchingregulatorcircuits. Features: ?HighCollector–EmitterSustainingVoltage:VCEO(sus)=16

NTE

NTE Electronics

NTE

技術(shù)參數(shù)

  • 漏源電壓（Vdss）：

    20V

  • 柵源極閾值電壓（最大值）：

    1V @ 250uA

  • 漏源導(dǎo)通電阻（最大值）：

    23 mΩ @ 6A，4.5V

  • 類型：

    2 個(gè) N 溝道（雙）

  • 功率耗散（最大值）：

    1.3W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MEM2306SG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-1 18:30:00

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