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MDS50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MDS50
廠商型號

MDS50

參數(shù)屬性

MDS50 封裝/外殼為55ST;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST

功能描述

DIODE / SCR MODULE

封裝外殼

55ST

文件大小

399.06 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 11:29:00

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MDS50規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Packaged in ISOTOP modules, the MDS Series is based on the half-bridge SCR-diode configuration. They are suitable for high power applications, using phase controlled bridges, such as soft-start circuits, welding equipment, motor speed

controller. The compactness of the ISOTOP package allows high power density and optimized power bus connections. Thanks to their internal ceramic pad, they provide high voltage insulation (2500V RMS), complying with UL standards (File

ref: E81734)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MDS500L

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    70V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.03GHz ~ 1.09GHz

  • 增益:

    9.2dB

  • 功率 - 最大值:

    833W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    24A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55ST

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55ST

  • 描述:

    RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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