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MDP12N50FTH

N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.75ohm

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50FTH

500V N-Ch MOSFET;

MagnaChipMagnaChip Semiconductor.

美格納

MDP12N50TH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MSAER12N50A

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

技術參數

  • Ids [A] 25°C:

    11.5

  • Vgs(th) [Max V]:

    4.5

  • Rds(on) [Ohm Max] at Vgs=10V:

    0.70

  • Qg[nC]:

    0.59

  • Option:

    20

  • Package:

    R2FET

  • Datasheet:

    TO-220

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