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MDF10N60B

N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.7(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF10N60BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

MDF10N60BTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChipMagnaChip Semiconductor.

美格納

MDF10N60BTH

N-Channel MOSFET 600V, 10A, 0.7(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF11N60TH

美格納
TO220F

美格納

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更多MDF10N60B供應(yīng)商 更新時間2025-8-1 11:00:00