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MDD1903

Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDD1903RH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=105mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDD1903RH

100V N-Ch MOSFET;

MagnaChipMagnaChip Semiconductor.

美格納

MDD1903RH

Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF1903

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,12A,110m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF1903TH

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,12A,110m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDIS1903

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,12.8A,105m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDIS1903TH

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,12.8A,105m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDS1903

SingleN-channelTrenchMOSFET100V,3.3A,110m(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDS1903URH

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Vds [V]：

    100

  • Ids [A] 25°C：

    25.0

  • Vgs(th) [Max V]：

    3.0

  • Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：

    105.0

  • Qgs [nC]：

    8.8

  • Qgd [nC]：

    1.7

  • Option：

    2.3

  • P SpiceModelInfo：

    DPAK

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MAGNACHIP
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更多MDD1903供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 17:44:00

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