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MJD122	文件：315.34 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD122	文件：408.73 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYDARLINGTONPLASTICPOWERTRANSISTORS DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeedSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJD122	文件：1.15875 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR（NPN） FEATURES ?HighDCCurrentGain ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?Built-inaDamperDiodeatE-C	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MJD122	文件：2.2067 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR（NPN） Feature ●HighDCCurrentGain ●ElectricallySimilartoPopularTIP122 ●Built-inaDamperDiodeatE-C	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
MJD122	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS HammerDrivers,AudioAmplifiersApplications PowerLinearandSwitchingApplications	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD122	文件：337.92 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNepitaxialplanerTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MJD122	文件：457.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconDarlingtonTransistor FEATURES ?HighDCCurrentGain ?ElectricallySimilartoPopularTIP122 ?Built-inaDamperDiodeatE-C WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD122	文件：296.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ComplementaryPairsSimplifiesDesigns APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD122	文件：277.2 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·ComplementaryPairsSimplifiesDesigns APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJD122G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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