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NDP608B	文件：296.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDP608BE	文件：73.89 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDP608BE	文件：296.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=45mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
OPB608	文件：311.63 Kbytes Page：9 Pages	ReflectiveObjectSensor Description TheOPB608consistsofaninfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistormounted“side-by-side”onaparallelaxisinablackopaqueplastichousing. Features ?Phototransistoroutput ?Unfocusedforsensingdiffusesurface ?Lowcostplastichousing ?Enhancedsignal	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB608	文件：569.32 Kbytes Page：5 Pages	ReflectiveObjectSensor Features: ?Phototransistoroutput ?Unfocusedforsensingdiffusesurface ?Lowcostplastichousing ?Enhancedsignaltonoiseratio ?Reducedambientlightsensitivity Description: OPB608reflectiveswitchesconsistofaninfraredemittingdevice(LEDorVCSEL)andaNPNsiliconphototra	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司	TTELEC
OPB608A	文件：223.73 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS TheOPB608isareflectiveswitchthatconsistofaninfraredemittingdevice(LEDorVCSEL)andanNPNsiliconphototransistormounted“side-by-side”onaparallelaxisinablackopaqueplastichousing.Boththeemittingdeviceandphototransistorareencapsulatedinavisiblefilteringepoxyex	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB608A	文件：311.63 Kbytes Page：9 Pages	ReflectiveObjectSensor Description TheOPB608consistsofaninfraredemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistormounted“side-by-side”onaparallelaxisinablackopaqueplastichousing. Features ?Phototransistoroutput ?Unfocusedforsensingdiffusesurface ?Lowcostplastichousing ?Enhancedsignal	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB608A	文件：782.12 Kbytes Page：5 Pages	ReflectiveObjectSensor Description: OPB608reflectiveswitchesconsistofaninfraredemittingdevice(LEDorVCSEL)andaNPNsiliconphototransistormounted“sideby-side”onaparallelaxisinablackopaqueplastichousing.AllOPB608’s(exceptOPB608R)haveanemittingdeviceandaphototransistorthatareencapsul	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司	TTELEC
OPB608A	文件：569.32 Kbytes Page：5 Pages	ReflectiveObjectSensor Features: ?Phototransistoroutput ?Unfocusedforsensingdiffusesurface ?Lowcostplastichousing ?Enhancedsignaltonoiseratio ?Reducedambientlightsensitivity Description: OPB608reflectiveswitchesconsistofaninfraredemittingdevice(LEDorVCSEL)andaNPNsiliconphototra	TTELECTT Electronics. TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司	TTELEC
OPB608B	文件：223.73 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS TheOPB608isareflectiveswitchthatconsistofaninfraredemittingdevice(LEDorVCSEL)andanNPNsiliconphototransistormounted“side-by-side”onaparallelaxisinablackopaqueplastichousing.Boththeemittingdeviceandphototransistorareencapsulatedinavisiblefilteringepoxyex	Optek OPTEK Technologies	Optek

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