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PBSS2515

15VlowVCEsatNPNdoubletransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?High

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS2515E

15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS2515F

15VlowVCEsatNPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapabilities ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandmuting ?Lowf

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PBSS2515M

15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS ?Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS2515MB

15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS2515VPN

15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor

FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improvedthermalbehaviourduetoflatlead ?ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS2515VS

15VlowVCEsatNPNdoubletransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplanarityduetostraightleads ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?High

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PBSS2515VS

15VlowVCEsatNPNdoubletransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits ?300mWtotalpowerdissipation ?Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage ?Excellentcoplana

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PBSS2515YPN

15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor

DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSC-88plasticpackage. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorson samePCBarea ?ReducesrequiredPCBarea ?Reducedpickandplacecosts. APP

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產品屬性

  • 產品編號：

    MCP2515-I/P

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    集成電路（IC） > 控制器

  • 包裝：

    管件

  • 協議：

    CANbus

  • 功能：

    控制器

  • 接口：

    SPI

  • 標準：

    CAN 2.0

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 5.5V

  • 電流 - 供電：

    10mA

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    18-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應商器件封裝：

    18-PDIP

  • 描述：

    IC CAN CONTROLLER W/SPI 18DIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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