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RF1407D

868.60MHzSAWFilter

TheRF1407Disalow-loss,compact,andeconomicalsurface-acoustic-wave(SAW)filterdesignedtoprovidefront-endselectivityin868.60MHzreceivers.ReceiverdesignsusingthisfilterincludesuperhetIF,directconversionandsuperregen.Typicalapplicationsofthesereceiversarewirelessre

rfm

RF Monolithics, Inc

RF1407D

868.60MHzSAWFilter

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MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

RN1407

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Withbuilt-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ComplementarytoRN2407~RN2409

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RN1407

Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

RSZ-1407

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

RSZ-1407HP

1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput

RECOM

Recom International Power

SBC1407B

SerialDigitalBNCConnectors

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

SBC1407B

StandardBNCConnectors

WinchesterWinchester Electronics Corporation

溫徹斯特溫徹斯特電子

SD1407

RF&MICROWAVETRANSISTORSHFSSBAPPLICATIONS

DESCRIPTION TheSD1407isa28VepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforSSBcommunications.Thisdeviceutilizesstate-of-the-artdiffusedemitterballastingforimprovedruggednessandreliability. ■30MHz ■28VOLTS ■IMD?30dB ■COMMONEMITTER ■GOLDMETALLIZATIO

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

SD1407

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASISD1407isaclassABcommonEmitterTransistorDesignedforbroadbandamplifieroperationsupto30MHz. FEATURES: ?PG=15dBmin.at125W/30MHz ?Highlinearpoweroutput ?IMD3=-30dBcmax.at125W(PEP) ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MCP1407-E/SN

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動配置：

    低端

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，2.4V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    6A，6A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    20ns，20ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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