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MCB60I1200TZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MCB60I1200TZ |
參數(shù)屬性 | MCB60I1200TZ 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:1200V 90A SIC POWER MOSFET |
功能描述 | Single MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-268AA |
文件大小 |
225.41 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | IXYS |
中文名稱 | 艾賽斯 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-16 20:22:00 |
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MCB60I1200TZ規(guī)格書詳情
MCB60I1200TZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由艾賽斯制造生產(chǎn)的MCB60I1200TZ晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
MCB60I1200TZ
- 制造商:
IXYS
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)
- 描述:
1200V 90A SIC POWER MOSFET
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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