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MC74VHC00DR2G集成電路(IC)的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

MC74VHC00DR2G
廠商型號

MC74VHC00DR2G

參數(shù)屬性

MC74VHC00DR2G 封裝/外殼為14-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的門反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

功能描述

Quad 2??nput NAND Gate
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

封裝外殼

14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

92.68 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-5 18:07:00

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MC74VHC00DR2G規(guī)格書詳情

MC74VHC00DR2G屬于集成電路(IC)的門反相器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MC74VHC00DR2G門和反相器邏輯柵極和逆變器系列中的產(chǎn)品對單個(gè)邏輯信號執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算(例如 AND、NOT、OR 等)。與觸發(fā)器不同,它們不能夠存儲信息,不會對提供給其輸入的信號立即做出響應(yīng)。雖然早就被集成電路實(shí)施形式所取代,以用于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能,但分立柵極仍可在僅需要非常簡單邏輯功能的情況下使用。

The MC74VHC00 is an advanced high speed CMOS 2?input NAND gate fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power dissipation. The internal circuit is composed of three stages, including a buffer output which provides high noise immunity and stable output. The inputs tolerate voltages up to 7 V, allowing the interface of 5 V systems to 3 V systems.

特性 Features

? High Speed: tPD = 3.7 ns (Typ) at VCC = 5 V

? Low Power Dissipation: ICC = 2 A (Max) at TA = 25°C

? High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28 VCC

? Power Down Protection Provided on Inputs

? Balanced Propagation Delays

? Designed for 2 V to 5.5 V Operating Range

? Low Noise: VOLP = 0.8 V (Max)

? Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families

? Latchup Performance Exceeds 300 mA

? ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V

? Chip Complexity: 32 FETs or 8 Equivalent Gates

? Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MC74VHC00DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器

  • 系列:

    74VHC

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類型:

    與非門

  • 輸入數(shù):

    2

  • 電壓 - 供電:

    2V ~ 5.5V

  • 電流 - 輸出高、低:

    8mA,8mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.5V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.5V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    7.5ns @ 5V,50pF

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    14-SOIC

  • 封裝/外殼:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 描述:

    IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
25+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8000
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