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MBRS360T3G分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

MBRS360T3G
廠商型號

MBRS360T3G

參數(shù)屬性

MBRS360T3G 封裝/外殼為DO-214AB,SMC;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

功能描述

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS
DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

封裝外殼

DO-214AB,SMC

文件大小

141.61 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-16 20:22:00

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MBRS360T3G規(guī)格書詳情

MBRS360T3G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MBRS360T3G二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES, 60 VOLTS

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal?to?silicon power diode. State?of?the?art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay

contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes, in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.

特性 Features

?Small Compact Surface Mountable Package with J?Bend Leads

?Rectangular Package for Automated Handling

?Highly Stable Oxide Passivated Junction

?Excellent Ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transients

?Guard?Ring for Stress Protection

?NRVBS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

?These are Pb?Free Devices

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MBRS360T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    DO-214AB,SMC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMC

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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