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MBR8100G

8.0 A SCHOTTKY BARRIER DIODE

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

MBR8100L

8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

MBR8100L

WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers

FEATURES *Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton *Guardringfortransientprotection *Lowpowerloss,highefficiency *Highcurrentcapability,lowVF *Highsurgecapacity *Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

MBR8100L

SchottkyBarrierChip

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBRA130LT3G

ON/安森美
SMA

ON/安森美

相關(guān)企業(yè):深圳市吉銘電子科技有限公司

ON/安森美

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MCC
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更多MBR8100G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:02:00