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NDP6030L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDP6030PL

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NI6030E

Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs

NI

National Instruments Inc.

NIPCI-6030E

Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs

NI

National Instruments Inc.

NIPXI-6030E

Full-FeaturedESeriesMultifunctionDAQ12or16-Bit,upto1.25MS/s,upto64AnalogInputs

NI

National Instruments Inc.

PBFR6030JP

VoltageRange16to28VCurrent60Ampere

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

PE6030

ShortingDustCapforBNCFemale

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

PL6030JP

PolyimidePassivatedAutoRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

PMEG6030ELP

60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMEG6030ELP-Q

60V,3AlowleakagecurrentSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?ExtremelylowleakagecurrentIR=340nA ?Averageforwardcur

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • VR(V)：

    21

  • IO(A)：

    60

  • 封裝型式：

    TO-3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
DIODES/美臺
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多MBR6030PT-G供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 11:00:00

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