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MBR130P中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBR130P
廠商型號

MBR130P

功能描述

AXIAL LEAD RECTIFIERS

文件大小

133.83 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導體 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-8 18:28:00

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AXIAL LEAD RECTIFIERS

. . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial consrjction with oxide passivation and metal overlap contact.

Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and polarity protection diodes.

? Extremely Low VF

? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction

? Low Power Loss/High Efficiency

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